mur120 ... mur160 mur120 ... mur160 ultrafast switching silicon rectifier diodes C ultraschnelle silizium-gleichrichterdioden version 2014-07-29 dimensions - ma?e [mm] nominal current nennstrom 1 a repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung 200...600 v plastic case kunststoffgeh?use ~do-41 ~do-204ac weight approx. gewicht ca. 0.4 g plastic material has ul classification 94v-0 geh?usematerial ul94v-0 klassifiziert standard packaging taped in ammo pack standard lieferform gegurtet in ammo-pack maximum ratings grenzwerte type typ repetitive peak reverse voltage periodische spitzensperrspannung v rrm [v] surge peak reverse voltage sto?spitzensperrspannung v rsm [v] mur120 200 200 MUR140 400 400 mur160 600 600 max. average forward rectified current, r-load dauergrenzstrom in einwegschaltung mit r-last t a = 50c i fav 1 a 1 ) repetitive peak forward current periodischer spitzenstrom f > 15 hz i frm 6 a 1 ) peak forward surge current, 50/60 hz half sine-wave sto?strom fr eine 50/60 hz sinus-halbwelle t a = 25c i fsm 32/35 a rating for fusing C grenzlastintegral, t < 10 ms t a = 25c i 2 t 5 a 2 s junction temperature C sperrschichttemperatur storage temperature C lagerungstemperatur t j t s -50...+175c -50...+175c 1 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 t y p e ? 0.77 0.07 ? 2.6 0.1 6 2 . 5 + 0 . 5 5 . 1 - 0 . 1 - 4 . 5
mur120 ... mur160 characteristics kennwerte type typ reverse recovery time sperrverzugszeit reverse recovery time sperrverzugszeit forward voltage durchlass-spannung t rr [ns] 1 ) t rr [ns] 2 ) v f [v] at / bei i f = [a] mur120 < 25 < 35 < 0.875 1 MUR140 ... mur160 < 50 < 75 < 1.25 1 leakage current sperrstrom t j = 25c t j = 100c v r = v rrm v r = v rrm i r i r < 5 a < 50 a thermal resistance junction to ambient air w?rme widerstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 45 k/w 3 ) thermal resistance junction to leads w?rme widerstand sperrschicht C anschlussdraht r thl < 15 k/w 1 i f = 0.5 a through/ber i r = 1 a to/auf i r = 0.25 a 2 i f = 1.0 a, di/dt = -50 a/s, v r = 30 v 3 valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case gltig, wenn die anschlussdr?hte in 10 mm abstand vom geh?use auf umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag 120 100 80 60 40 20 0 [%] i fav rated forward current versus ambient temperature ) zul. richtstrom in abh. von der umgebungstemp. ) 1 1 [c] t a 150 100 50 0 [a] i f forward characteristics (typical values) durchlasskennlinien (typische werte) [v] v f 10 1 0.1 10 10 -2 -3 mur120 MUR140...160 t = 25c j
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